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CG2H80060D

60 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCG2H80060Disagalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT).GaNhassuperior propertiescomparedtosiliconorgalliumarsenide, includinghigherbreakdownvoltage,highersaturated electrondriftvelocity,andhigherthermalconductivity. GaNHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CG2H80060D

60 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

CG2H80060D-GP4

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:模具 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF DISCRETE

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CG2H80060D供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00