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CGHV40180P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGHV40180P
廠商型號

CGHV40180P

參數(shù)屬性

CGHV40180P 封裝/外殼為440206;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ,

功能描述

180 W, DC - 2.0 GHz, 50 V, GaN HEMT
180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ,

封裝外殼

440206

文件大小

713.32 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:12:00

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CGHV40180P規(guī)格書詳情

CGHV40180P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGHV40180P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

Cree’s CGHV40180P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high

electron mobility transistor (HEMT). The CGHV40180P, operating

from a 50 volt rail, offers a general purpose, broadband solution

to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs

offer high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities

making the CGHV40180P ideal for linear and compressed

amplifier circuits. The transistor is available in a 2-lead pill

package.

Features

? Up to 2.0 GHz Operation

? 24 dB Small Signal Gain at 900 MHz

? 20 dB Power Gain at 900 MHz

? 250 W Typical Output Power at 900 MHz

? 75 Efficiency at PSAT

Applications

? Military Communications

? Public Safety VHF-UHF applications

? Radar

? Medical

? Broadband Amplifiers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CGHV40180P

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    19.8dB

  • 功率 - 輸出:

    180W

  • 封裝/外殼:

    440206

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    440206

  • 描述:

    180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ,

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CREE
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