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CGHV96050F2

50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT

Description Wolfspeed’sCGHV96050F2isagalliumnitride(GaN)HighElectronMobilityTransistor(HEMT) onSiliconCarbide(SiC)substrates.ThisGaNInternallyMatched(IM)FEToffersexcellent poweraddedefficiencyincomparisontoothertechnologies.GaNhassuperiorproperties comparedto

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CGHV96050F2

50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT

CreeCree, Inc

科銳

CGHV96050F2-TB

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：TEST FIXTURE FOR CGHV96050F2

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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更多CGHV96050F2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 15:26:00

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