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CMT55N03G	文件：256.92 Kbytes Page：6 Pages	25VN-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFET	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
EMB55N03J	文件：213.9 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)55mΩ ID3.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB55N03JS	文件：234.2 Kbytes Page：5 Pages	N‐ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FMDS55N03	文件：123.92 Kbytes Page：2 Pages	30VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
GJ55N03	文件：223.4 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM55N03D	文件：958.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRLD55N03K	文件：965.32 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLF55N03K	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLFS55N03K	文件：258.79 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLP55N03K	文件：933.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NP55N03SUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP55N03SUG	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB55N03	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance ?Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Verylowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance ?Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：344.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB55N03LTA	文件：1.01483 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03T	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB55N03T	文件：344.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市中福國際管理有限公司	CJAB55N03S	CJ/長晶	24+	PDFNWB3.3×3.3-8L	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CJAB55N03S	CJ/長電	23+	PDFNWB3.33.3-8L	63523	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市眾芯源半導(dǎo)體有限公司	CJAB55N03S	長電	22+	SMD	10000	原裝正品,渠道現(xiàn)貨	詢價
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CJAB55N03S	CJ/長電	22+	SMD	15000	原裝正品	詢價
深圳市宇集芯電子有限公司	CJAB55N03S	長電	24+	SMD	10000	一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	CJAB55N03S	CJ(江蘇長電/長晶)	20+	PDFNWB-8L(3.3x3.3)	5000		詢價
深圳市弘揚芯城科技有限公司	CJAB55N03S	CJ(江蘇長電/長晶)	23+	PDFNWB8L(3.3x3.3)	6000	誠信服務(wù)，絕對原裝原盤	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CJAB55N03S		24+	N/A	69000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市天芯威科技有限公司	CJAB55N03S	長電	22+23+	SMD	8000	新到現(xiàn)貨，只做原裝進口	詢價
深圳市力拓輝電子有限公司	CJAB55P03_PDFNWB3.3*3.3-8L	長晶科技	21+	PDFNWB3.3*3.3-8L	39	全新原裝鄙視假貨15118075546	詢價

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