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CJU05N60	文件：510.18 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU05N60	文件：778.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJU05N60B	文件：1.92842 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJU05N60B	文件：717.72 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMS05N60	文件：565.1 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelDepletion-ModeMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
FMC05N60E	文件：578.55 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMC05N60E	文件：332.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMI05N60E	文件：575.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMP05N60E	文件：568.93 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMV05N60E	文件：547.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applicati	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
H05N60	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N60E	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N60F	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
MCU05N60	文件：494.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MCU05N60A	文件：454.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MCU05N60A	文件：339.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MGS05N60D	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. ?Built–InFreeWheelingDiode ?Built–InGateProtecti	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGS05N60D	文件：138.73 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. ?Built–InFreeWheelingDiode ?Built–InGateProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMG05N60D	文件：138.49 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMG05N60D	文件：135.03 Kbytes Page：6 Pages	POWERLUXIGBT ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. ?Built–InFreeWheelingDiode ?Built–InGateProtectionZenerDiode ?IndustryStandardPackage(SOT223) ?HighSpeedEoff:Typic	Motorola Motorola, Inc	Motorola

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