首頁(yè)>CM100DU-12H>芯片詳情

CM100DU-12H_MITSUBISHI/三菱電機(jī)_IGBT MOD DUAL 600V 100A U SER英科美電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    CM100DU-12H

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MITSUBISH

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    26800

  • 產(chǎn)品封裝：

    M0DULE

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2223+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 14:04:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：CM100DU-12H品牌：MITSUBISH

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

  • 芯片型號(hào)：

    CM100DU-12H

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MITSUBISHI【三菱電機(jī)】詳情

  • 廠商全稱：

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 中文名稱：

    三菱電機(jī)株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    51.44 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    CM100DU-12H

  • 功能描述：

    IGBT MOD DUAL 600V 100A U SER

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    IGBTMOD™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類(lèi)型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15507502698

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23903058

  • 傳真：

    0755-23905869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730

相近型號(hào)