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CP710V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

CP710V
廠商型號

CP710V
參數(shù)屬性

CP710V 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 300V 0.5A DIE 1=400
功能描述

Small Signal Transistor PNP - High Voltage Transistor Chip
TRANS PNP 300V 0.5A DIE 1=400
封裝外殼

模具
文件大小

481.98 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-27 11:09:00

CP710V規(guī)格書詳情

CP710V屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP710V晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Small Signal Transistor PNP - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 26 x 26 MILS

Die Thickness 7.1 MILS

Base Bonding Pad Area 6.1 x 4.9 MILS

Emitter Bonding Pad Area 5.2 x 5.2 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000?

Back Side Metalization Au - 18,000?

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    CP710V-MPSA92-CT

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 2mA，20mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    250nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 30mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    50MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    TRANS PNP 300V 0.5A DIE 1=400

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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