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FCP13N60N	文件：904.36 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓 Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCP13N60N	文件：301.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCPF13N60NT	文件：292.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCPF13N60NT	文件：904.36 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓 Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMC13N60E	文件：529.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMC13N60E	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC13N60ES	文件：333.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC13N60ES	文件：594.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMH13N60ES	文件：598.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMI13N60E	文件：529.91 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMI13N60ES	文件：594.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FML13N60ES	文件：493.67 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
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FMV13N60ES	文件：587.33 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
HFP13N60U	文件：201.03 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS13N60U	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KF13N60N	文件：71.36 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=600V,ID=13A ?Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
SGH13N60UFD	文件：308.44 Kbytes Page：8 Pages	FEATURES FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=6.5A) HighInputImpedance CO-PAK,IGBTwithFRD:Trr=37nS(typ.) APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply *LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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