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KSM8N60	文件：678.75 Kbytes Page：4 Pages	Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM8N60C	文件：2.21191 Mbytes Page：7 Pages	600V N-CHANNEL MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB8N60	文件：693.25 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF8N60	文件：748.06 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF8N60C	文件：2.21191 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX8N60C	文件：2.5332 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KX8N60CF	文件：3.27119 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KX8N60F	文件：2.12479 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
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MDF8N60B	文件：840.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.05(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60BTH	文件：840.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.05(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60BTH	文件：322.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDF8N60TH	文件：751.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF8N60TH	文件：322.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP8N60	文件：997.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP8N60TH	文件：997.99 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP8N60TH	文件：332.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MS8N60	文件：411.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF8N60	文件：366.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MT8N60C	文件：1.10739 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	KSM8WBTS	HDK	23+	DIP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	KSM8WBTS	HDK	23+	DIP	20000	原裝正品歡迎咨詢	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	KSM8WBTS	HDK	23+	NA/	10000	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	KSM8WBTS	HOKURI	24+	NA	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	KSM-900AAA				700	普通	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KSM-902L1E-M	KODENSHI	23+	DIP-3	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市粵科源興科技有限公司	KSM-902TM1M-2	KODENSHI	13+		6572	原裝分銷	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	KSM-902TM1M-2	KODENSHI原裝	22+23+	DIP-3	26578	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市柯爾基電子有限公司	KSM-902TM1M-2	KODENSHI	23+24	DIP-3	39870	專業(yè)光電傳感器,開關(guān),發(fā)射管,發(fā)光二極等優(yōu)勢原裝現(xiàn)	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	KSM90361Y	PHIL	23+	DIP-28P	12300		詢價

更多KSM8N60供應(yīng)商更新時間2024-12-24 11:00:00

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