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CY14B101LA-ZS45XIT集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

CY14B101LA-ZS45XIT
廠商型號(hào)

CY14B101LA-ZS45XIT

參數(shù)屬性

CY14B101LA-ZS45XIT 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

功能描述

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

810.8 Kbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 23:00:00

CY14B101LA-ZS45XIT規(guī)格書詳情

Functional Description

The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 128K bytes of 8 bits each or 64K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power down. On power up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

Features

■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times

■ Internally Organized as 128K x 8 (CY14B101LA) or 64K x 16 (CY14B101NA)

■ Hands off Automatic STORE on Power Down with only a Small Capacitor

■ STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down

■ RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up

■ Infinite Read, Write, and Recall Cycles

■ 200,000 STORE Cycles to QuantumTrap

■ 20 year Data Retention

■ Single 3V +20 to -10 Operation

■ Commercial and Industrial Temperatures

■ 54/44-Pin TSOP-II, 48-Pin SSOP, and 32-Pin SOIC Packages

■ Pb-free and RoHS Compliance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY14B101LA-ZS45XIT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    45ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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