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CY7C106B-25VI中文資料賽普拉斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CY7C106B-25VI
廠商型號(hào)

CY7C106B-25VI

功能描述

256K x 4 Static RAM

文件大小

161.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-13 9:20:00

CY7C106B-25VI規(guī)格書(shū)詳情

Functional Description

The CY7C106B and CY7C1006B are high-performance CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. These devices have an automatic power-down feature that reduces power consumption by more than 65 when the devices are deselected.

Features

? High speed

— tAA = 12 ns

? CMOS for optimum speed/power

? Low active power

— 495 mW

? Low standby power

— 275 mW

? 2.0V data retention (optional)

— 100 μW

? Automatic power-down when deselected

? TTL-compatible inputs and outputs

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