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CY7C15632KV18	文件：760.35 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18_12	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
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CY7C15632KV18-400BZC	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
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CY7C15632KV18-450BZC	文件：760.35 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-450BZC	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-450BZXC	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-450BZXC	文件：760.35 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-450BZXI	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-450BZXI	文件：760.35 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-500BZC	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-500BZXC	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-500BZXI	文件：783.76 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-500BZXI	文件：760.35 Kbytes Page：30 Pages	72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C15632KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
CY7C15632KV18-400BZXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CY7C15632KV18
功能描述：
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB(8Mx9) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存儲(chǔ)容量：
16 Mbit
組織：
1 M x 16
訪問時(shí)間：
55 ns
電源電壓-最大：
3.6 V
電源電壓-最?。?/span>
2.2 V
最大工作電流：
22 uA
最大工作溫度：
+ 85 C
最小工作溫度：
- 40 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
TSOP-48
封裝：
Tray

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CY7C15632KV18-500BZXI	Cypress		165-FBGA	6200	Cypress一級(jí)分銷,原裝原盒原包裝!	詢價(jià)
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更多CY7C15632KV18供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 10:20:00

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