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DMG3N60SCT	文件：305.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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FGD3N60LSD	文件：848.49 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGD3N60LSD	文件：872.7 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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FGD3N60UNDF	文件：1.036569 Mbytes Page：10 Pages	UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild???theNPTvIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB3N60	文件：581.81 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQB3N60C	文件：753.45 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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