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UPD43256BGU-B10

256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPD43256BGU-B10-A

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?32,768wordsby8bitsorganization ?Fastaccesstime:70,85,100,120ns(MAX.) ?Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) ?LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) ?/OEinputforeasyapplication

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD43256BGU-B10-A

256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多D43256BGU-B10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 17:32:00