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DE275-201N25A規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Low Qgand Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
Ideal for Class C, D, & E Applications
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qgprocess
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to 100MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
DE275-201N25A
- 制造商：
IXYS Corporation
- 功能描述：
MOSFET N RF DE275
- 功能描述：
MOSFET, N, RF, DE275
- 功能描述：
MOSFET, N, RF, DE275; Transistor
- Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
- Vds：
200V; Continuous Drain Current
- Id：
25A; Power Dissipation
- Pd：
590W; Operating Temperature
- Min：
-55C; Operating Temperature
- Max：
175C; No. of
- Pins：
6 ;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE |
2023+ |
M0DULE |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
SEEQ |
QQ咨詢 |
DIP |
268 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價 | ||
SEEQ |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
SEEQ |
24+ |
DIP |
200 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IXYS RF |
2306+ |
NA |
6680 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,實單來談 |
詢價 | ||
SEEQ |
23+ |
DIP24 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
TOKO |
24+ |
SMD |
68900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
詢價 | ||
SEEQ |
23+ |
DIP |
98900 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨!! |
詢價 | ||
IC |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
IXYS |
20+ |
原裝模塊 |
368 |
樣品可出,原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
