首頁>DF200R12KE3HOSA1>芯片詳情

DF200R12KE3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

DF200R12KE3參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    DF200R12KE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    1500

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    新批次

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2024-11-16 16:18:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：DF200R12KE3品牌：英飛凌

DF200R12KE3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/模塊的DF200R12KE3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    DF200R12KE3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    EUPEC詳情

  • 廠商全稱：

    eupec GmbH

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    163.6 kb

  • 資料說明：

    Hochstzulassige Werte / maximum rated values

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    DF200R12KE3HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，200A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 1040W

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅 浩

  • 手機：

    19854773352

  • 詢價：
  • 電話：

    14789300331

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀A棟2003F19

相近型號