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E1407A	文件：100.76 Kbytes Page：2 Pages	A/BtoC-SizeP1/P2ActiveAdapter	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中國(guó)）有限公司	KEYSIGHT
ENA1407A	文件：229.04 Kbytes Page：10 Pages	PCandServerFanMotorDriver	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
EPR1407G	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EPR1407G-RC	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
IIRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：127.66 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078ohm,Id=130A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407L	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407L	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF1407LPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407PBF	文件：167.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407PBF	文件：271.93 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407S	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1407S	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1407SPBF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF1407STRLPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KI1407DL	文件：52.24 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
DFPU1407
制造商：
Thomas & Betts
功能描述：
100A,INT,3P4W,MG,407,3P250V

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	DFQ	ROHM/羅姆	23+	0751+	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	DFQ	ROHM/羅姆	23+	0751+	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	DFQ601640L	NA	專業(yè)模塊	MODULE	8513	模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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深圳市銳視安科技有限公司	DFQ60A0	SAMSUNG/三星	1520+	BGA	2088	原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)發(fā)票,假一賠十	詢價(jià)
深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司	DFQ60A0	SAMSUNG/三星	21+	BGA	5000	全新原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	DFQ60A0	SAMSUNG/三星	23+	BGA	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
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更多DFPU1407供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 15:48:00

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