甜性涩爱bt,秋霞鲁丝片av无码

首頁 >DG601AK>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
DL-601	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陸電氣工業(yè)日本北陸電氣工業(yè)柱式會社	HOKURIKU
DL-601L	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陸電氣工業(yè)日本北陸電氣工業(yè)柱式會社	HOKURIKU
DL-601L/R	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陸電氣工業(yè)日本北陸電氣工業(yè)柱式會社	HOKURIKU
DL-601R	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陸電氣工業(yè)日本北陸電氣工業(yè)柱式會社	HOKURIKU
DMN601DMK	文件：130.229 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. ?DC-DCConverters ?PowerManagementFunctions ?AnalogSwitch Fea	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601DMK	文件：205.1 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601DWK	文件：131.43 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on)),yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits ?DualN-Chann	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601DWKQ	文件：579.57 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?DualN-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ESDProtected ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimony	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601K	文件：272.76 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtectedUpTo2kV ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601K	文件：191.82 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601TK	文件：272.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON)),yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits ?LowOn-Resis	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601TK	文件：141.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601TK	文件：411.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601VK	文件：134.46 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?DualN-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601VK	文件：292.94 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601VKQ	文件：366.05 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?DualN-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601WK	文件：141.13 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtectedGate ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601WK	文件：153.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601WKQ	文件：488.76 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtectedGate ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN601WKQ	文件：1.34024 Mbytes Page：6 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirementsandHalogenFree. FEATURES Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ESDProtected:1000V	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
DG601AK
功能描述：
模擬開關(guān) IC Analog Switch
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
開關(guān)數(shù)量：
2
開關(guān)配置：
SPDT
開啟電阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作電源電壓：
2.7 V to 4.5 V
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
DSBGA-16

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳權(quán)泰科技有限公司	DG601AK	SIL	21+	DIP	8080	原裝現(xiàn)貨實(shí)單必成只做原裝！	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	DG601AK	HARRIS	24+	CDIP	30		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	DG601AK	AD	23+	DIP	1153	專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	DG601AK	HAR	23+	DIP	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	DG601AK	SIL	00+	DIP	188	原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	DG601AK	SIL	QQ咨詢	DIP	291	全新原裝研究所指定供貨商	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	DG601AK/883	SILICONIX	1641+	CDIP16	1252	代理品牌	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	DG601AK/883C	SIL	2020+	CDIP	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	DG601AK/883C	SIL	21+	CDIP	13	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	DG601AK/883C	SIL	2122+	CDIP	11190	全新原裝正品現(xiàn)貨,優(yōu)勢渠道可含稅,假一賠十	詢價

更多DG601AK供應(yīng)商更新時間2024-12-27 14:00:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存