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DGD21032S8-13

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

PAM

Diodes Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DGD21032S8-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    290mA，600mA

  • 輸入類型：

    反相，非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    70ns，35ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多DGD21032S8-13供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 16:20:00

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