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DMT10H009SSS-13_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-PAM

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原廠料號(hào)：DMT10H009SSS-13品牌：Diodes Incorporated

資料說明：MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\u0026R

DMT10H009SSS-13是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝的DMT10H009SSS-13晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    dmt10h009sss-13

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    PAM詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 資料說明：

    MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\u0026R

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DMT10H009SSS-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 描述：

    MOSFET BVDSS

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