ISP26DP06NMSATMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-英飛凌

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原廠料號(hào):ISP26DP06NMSATMA1品牌:Infineon Technologies

資料說(shuō)明:MOSFET P-CH 60V SOT223

ISP26DP06NMSATMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-261-4,TO-261AA的ISP26DP06NMSATMA1晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào):

    isp26dp06nmsatma1

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明:

    MOSFET P-CH 60V SOT223

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISP26DP06NMSATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    OptiMOS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    P 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    1.9A(Ta)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 描述:

    MOSFET P-CH 60V SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
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C06-二極管
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