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SDS065J010E3

Marking：DS065010E3；Package：TO-263-2L；3 rd Generation 65 0V/ 10 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

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更多DS065010E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:08:00

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