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SDS120J010G3

Marking：DS120010G3；Package：TO-247-3L；3rd Generation 1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

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更多DS120010G3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:26:00

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