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SDS120J015H5

Marking：DS120015H5；Package：TO-247-2L；5th Generation 1200V/15A SiC Schottky Barrier Diode

Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery High-speedswitchingperformance Temperature-independentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom-55℃to175℃ RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導體三安光電股份有限公司

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更多DS120015H5供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 17:09:00

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