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DS1220Y-200	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	16kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye	DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體	Dallas

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DS1220Y-200

文件：144.55 Kbytes

Page：8 Pages

16kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

Dallas

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	DS1220Y-200IND+	DALLAS	19+	DIP	256800	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
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更多DS1220Y-200-IND供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-12 15:00:00

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