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DS1220Y-200

16k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1220Y-200+

Package:24-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1220Y-200IND+

Package:24-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    DS1220Y-200

  • 功能描述:

    NVRAM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Maxim Integrated

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    8 bit

  • 存儲容量:

    1024 Kbit

  • 組織:

    128 K x 8

  • 接口類型:

    Parallel

  • 訪問時(shí)間:

    70 ns

  • 電源電壓-最大:

    5.5 V

  • 電源電壓-最小:

    4.5 V

  • 工作電流:

    85 mA

  • 最大工作溫度:

    + 70 C

  • 最小工作溫度:

    0 C

  • 封裝/箱體:

    EDIP

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多DS1220Y-200供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-28 11:05:00