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DS1230AB-100	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體	Dallas
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DS1230AB-150	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體	Dallas
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DS1230AB-200	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體	Dallas

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
DS1230AB-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
NVSRAM
技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：
256Kb（32K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
100ns
電壓 - 供電：
4.75V ~ 5.25V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多DS123供應(yīng)商更新時間2025-1-23 9:16:00

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