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DS1230AB-200IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1230AB-200IND

包裝：管件 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230AB-200

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

Dallas

Dallas Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1230AB-200IND

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    200ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DALLAS
24+
DIP
20000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
DALLAS
23+
DIP
18204
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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原裝現(xiàn)貨
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公司只做原裝正品
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2021+
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原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
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原裝
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24+
DIP
120000
正品原裝現(xiàn)貨
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00+
DIP
1988
主營TI/BB原裝正品貨絕對還
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MaximIntegratedProducts
2022
ICNVSRAM256KBIT200NS28DI
5058
原廠原裝正品,價格超越代理
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DALLAS
2016+
DIP
3000
主營TI,絕對原裝,假一賠十,可開17%增值稅發(fā)票!
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更多DS1230AB-200IND供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 19:53:00

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