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DS1230Y集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

DS1230Y
廠商型號

DS1230Y
參數(shù)屬性

DS1230Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
功能描述

256k Nonvolatile SRAM
封裝外殼

28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
文件大小

222.21 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 Dallas Semiconductor
企業(yè)簡稱

Dallas【亞德諾】

中文名稱

亞德諾半導體官網
原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-9 9:15:00

產品屬性

  • 產品編號：

    DS1230Y-100+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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