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DS1250AB-100

4096k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1250AB-100

Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250AB-100IND

Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250AB-100IND+

Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1250AB-100

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DALLAS
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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全新原裝品牌專營
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現(xiàn)貨
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DALLAS
23+
SOP/DIP
9465
正品原裝貨價(jià)格低
 詢價(jià)
DALLAS
2023+
3000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多DS1250AB-100供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 16:41:00

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