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DS1250BL-70

4096K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1250BL-70

包裝：管件 封裝/外殼：34-LPM 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250BL-70-IND

4096K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1250BL-70-IND

包裝：管件 封裝/外殼：34-LPM 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1250BL-70

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    34-LPM

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    34-LPM

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1250BL-70供應(yīng)商 更新時間2025-1-15 17:00:00

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