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DS1258W-100

3.3V 128k x 16 Nonvolatile

DESCRIPTION TheDS1258W3.3V128kx16NonvolatileSRAMisa2,097,152-bit,fullystatic,nonvolatile(NV)SRAM,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.W

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1258W-100

3.3V 128k x 16 Nonvolatile SRAM

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美信美信半導(dǎo)體

DS1258W-100

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258W-100

包裝：管件 封裝/外殼：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258W-100-IND

3.3V 128k x 16 Nonvolatile

DESCRIPTION TheDS1258W3.3V128kx16NonvolatileSRAMisa2,097,152-bit,fullystatic,nonvolatile(NV)SRAM,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.W

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DS1258W-100#

3.3V 128k x 16 Nonvolatile SRAM

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DS1258W-100IND

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1258W-100

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    40-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DALLAS
23+
MOD
65480
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22+
DIP
10000
原裝正品優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)
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24+
40-EDIP
56200
一級代理/放心采購
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Maxim
24+
40DIP
5723
原裝現(xiàn)貨
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MAXIM
20+
DIP-40
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8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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MOD
5177
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35500
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23+
40-EDIP
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
更多DS1258W-100供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 15:01:00

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