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DS1258Y-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1258Y-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1258Y-70

Package：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258Y-70

Package：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258Y-70-IND

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

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DS1258Y-70#

128k x 16 Nonvolatile SRAM

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DS1258Y-70IND#

128k x 16 Nonvolatile SRAM

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DS1258Y-70IND

Package：40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1258Y-70

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    40-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
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56200
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DIP-40
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現(xiàn)貨
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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Maxim Integrated
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40-EDIP
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更多DS1258Y-70供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 15:21:00

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