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DS1265W-100IND

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1265W-100IND

Package：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1265W-100IND+

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1265W-100IND+

Package：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1265W-100

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1265W-100

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

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亞德諾亞德諾半導體

DS1265W-100+

3.3V8MbNonvolatileSRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

產品屬性

  • 產品編號：

    DS1265W-100IND

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    8Mb（1M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）

  • 供應商器件封裝：

    36-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1265W-100IND供應商 更新時間2025-3-1 9:30:00

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