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DS1258Y-70IND集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
DS1258Y-70IND |
| 參數(shù)屬性 | DS1258Y-70IND 封裝/外殼為40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP |
| 功能描述 | 128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| 封裝外殼 | 40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm） |
| 文件大小 |
207.49 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Maxim Integrated Products |
| 企業(yè)簡稱 |
Maxim【美信】 |
| 中文名稱 | 美信半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-10 18:08:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
DS1258Y-70IND
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
NVSRAM
- 技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲容量：
2Mb（128K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
70ns
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
40-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
2016+ |
DIP16 |
6523 |
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DALLAS |
23+ |
DIP |
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DALLAS |
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MOD |
65480 |
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DLS |
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DALLAS |
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