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DS1330Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

DS1330Y
廠商型號

DS1330Y

參數(shù)屬性

DS1330Y 封裝/外殼為34-LPM;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM

功能描述

256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

封裝外殼

34-LPM

文件大小

217.66 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Dallas Semiconductor
企業(yè)簡稱

Dallas亞德諾

中文名稱

亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 10:52:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1330YL-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    34-LPM

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    34-LPM

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM

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