DS1330YL-100 集成電路（IC）存儲器 AD/亞德諾

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廠家型號：
DS1330YL-100
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
AD/亞德諾
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
34-LPM
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-11-5 10:53:00

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詳細信息
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原廠料號：DS1330YL-100品牌：Analog Devices Inc./Maxim Inte

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DS1330YL-100是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Analog Devices Inc./Maxim Inte/Analog Devices Inc./Maxim Integrated生產(chǎn)封裝34-LPM的DS1330YL-100存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
DS1330YL-100
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
DALLAS詳情
廠商全稱：
Dallas Semiconductor
內容頁數(shù)：
9 頁
文件大?。?/span>
219.54 kb
資料說明：
256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
DS1330YL-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
NVSRAM
技術：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：
256Kb（32K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
100ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
34-LPM
供應商器件封裝：
34-LPM
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

DS1330YL-100 集成電路（IC）存儲器 AD/亞德諾

DS1330YL-100

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