首頁>DS3050W-100>規(guī)格書詳情

DS3050W-100集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

DS3050W-100
廠商型號

DS3050W-100
參數(shù)屬性

DS3050W-100 封裝/外殼為256-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA
功能描述

3.3V Single-Piece 4Mb Nonvolatile SRAM with Clock
封裝外殼

256-BGA
文件大小

555.53 Kbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產(chǎn)廠商 Maxim Integrated Products
企業(yè)簡稱

Maxim【美信】

中文名稱

美信半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-5-1 17:59:00
人工找貨

DS3050W-100價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

DS3050W-100規(guī)格書詳情

Features

?Single-Piece, Reflowable, 27mm x 27mm BGA Package Footprint

?Internal Manganese Lithium Battery and Charger

?Integrated Real-Time Clock

?Unconditionally Write-Protects the Clock and SRAM when VCCis Out-of-Tolerance

?Automatically Switches to Battery Supply when VCCPower Failures Occur

?Reset Output can be Used as a CPU Supervisor

?Interrupt Output can be Used as a CPU Watchdog Timer

?Industrial Temperature Range (-40°C to + 85°C)

?UL Recognized

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS3050W-100

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-BGA（27x27）

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Dallas
23+
256-BGA
6672
詢價
MURATA
24+
300
詢價
DALLAS
19+
BGA256
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
MAXIM/美信
22+
BGA256
9000
原裝正品
 詢價
Analog Devices Inc/Maxim Integ
23+/24+
256-BGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
DALLAS
24+
BGA256
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
 詢價
Maxim Integrated
23+
256-BGA27x27
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
Maxim Integrated
23+
256-BGA27x27
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
AMPHENOL
23+
65480
詢價
DALLAS
2405+
原廠封裝
12500
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
 詢價

相關(guān)庫存

更多