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IRF730

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF730

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

IRF730

N-channelmosfettransistor

Features ?WithTO-220package ?Simpledriverequirements ?Fastswitching ?VDSS=400V;RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A ?1.gate2.drain3.source

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DVK-BT730-SA

  • 制造商：

    Laird Connectivity Inc.

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板

  • 包裝：

    盒

  • 類型：

    收發(fā)器; Bluetooth? Classic

  • 頻率：

    2.4GHz

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品：

    BT730-SA

  • 所含物品：

    板，電纜

  • 描述：

    DEV KIT FOR BT730 V2.0

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更多DVK-BT730-SA供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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