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PJE8406_R1_00001

Marking:E06;Package:SOT-523;20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected

Features ?RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω ?RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω ?RDS(ON),VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ) ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?SpeciallyDesignedforLoadSwitchorPWMapplication. ?ESDProtected ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?Greenmoldingco

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

NB2779A

Marking:E06***;Package:SOT-26;Low Power, Reduced EMI Clock Synthesizer

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

WE060NG

Marking:E060N;Package:SOT-89;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    E06

  • 制造商:

    FIIO ELECTRONICS

  • 功能描述:

    PORTABLE HEADPHONE AMPLIFIER HEADPHONE LEVEL INPUT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
XP Power
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更多E06供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 15:01:00