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F338	文件：102.18 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F338A	文件：235.12 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDN338	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN338	文件：2.74912 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
FDN338P	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN338P	文件：1.91559 Mbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-20V RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.6A=115m? RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.3A=155m? Features Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
FDN338P	文件：1.7249 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET Application ●Load/PowerSwitching ●InterfacingSwitching ●LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN338P	文件：601.84 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
FDN338P	文件：572.58 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN338P-NL	文件：1.039819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FK338	文件：80.84 Kbytes Page：1 Pages	HCMOS3.3V32.768kHzSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FRW338	文件：290.13 Kbytes Page：5 Pages	SAWResonator-RemoteControl	TEMEX temex	TEMEX
GBC338	文件：186.57 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Description TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features ?HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA ?ComplementarytoGBC328	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GBC338	文件：189.07 Kbytes Page：3 Pages	TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GHI-ALFATSD-338	文件：95.42 Kbytes Page：1 Pages	ALFATSDBoard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
GI338	文件：474.04 Kbytes Page：2 Pages	Incrementalencoders	IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟電子堡盟電子（上海）有限公司	IVO
GM338	文件：300.38 Kbytes Page：6 Pages	ConventionalMDCMobileRadioVersatility&SophisticationontheMove	Motorola Motorola, Inc	Motorola
GSX-338	文件：591.27 Kbytes Page：5 Pages	HighFrequencyFundamental3.2x2.5mmSMCrystal	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HMC338	文件：295.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz GeneralDescription TheHMC338chipisageneralpurposesub-harmonicallypumped(x2)MMICmixerwithanintegratedLOamplifierwhichcanbeusedasanupconverterordownconverterinthe26to33GHzfrequencyrange.ThechiputilizesaGaAsPHEMTtechnologythatresultsinasmalloverallchi	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC338	文件：303.24 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

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更多E338A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 16:59:00

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