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IRLR9343	文件：358.9 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR9343	文件：396.62 Kbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Description AdvancedProcessTechnology KeyParametersOptimizedforClass-DAudio AmplifierApplications LowRDSONforImprovedEfficiency LowQgandQswforBetterTHDandImproved Efficiency LowQrrforBetterTHDandLowerEMI 175°COperatingJunctionTemperaturefor Ruggedness Repet	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLR9343	文件：245.95 Kbytes Page：10 Pages	DIGITALAUDIOMOSFET VDS-55V RDS(ON)typ.@VGS=-10V93m? RDS(ON)typ.@VGS=-4.5V150m? Qgtyp.31nC TJmax175°C Description ThisDigitalAudioHEXFET?isspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMosFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistan	IRF International Rectifier	IRF
IRLR9343	文件：1.03004 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR9343PBF	文件：299.57 Kbytes Page：10 Pages	DIGITALAUDIOMOSFET Description ThisDigitalAudioHEXFET?isspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMosFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareo	IRF International Rectifier	IRF
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IRLR9343TRPBF	文件：1.12137 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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IRLU9343PBF	文件：299.57 Kbytes Page：10 Pages	DIGITALAUDIOMOSFET Description ThisDigitalAudioHEXFET?isspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMosFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareo	IRF International Rectifier	IRF
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更多ECG9343供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:13:00

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