EFC2J004NUZTDG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：EFC2J004NUZTDG品牌：onsemi(安森美)

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EFC2J004NUZTDG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝WLCSP-6/的EFC2J004NUZTDG晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱(chēng)為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類(lèi)型的操作。也就是說(shuō)，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

• 芯片型號(hào)：

  EFC2J004NUZTDG

• 規(guī)格書(shū)：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  ON Semiconductor

• 中文名稱(chēng)：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  7 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  313.5 kb

• 資料說(shuō)明：

  Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m廓, 14 A, Dual N-Channel