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ESM5804YD	文件：240.88 Kbytes Page：13 Pages	K,Ka-BandPowerAmplifierMMIC	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
FMM5804VY	文件：285.64 Kbytes Page：14 Pages	K/KaBandPowerAmplifierMMIC	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
FMM5804X	文件：278.85 Kbytes Page：4 Pages	17.5-31.5GHzPowerAmplifierMMIC	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
FMM5804YD	文件：240.88 Kbytes Page：13 Pages	K,Ka-BandPowerAmplifierMMIC	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
HI5804	文件：64.48 Kbytes Page：11 Pages	12-Bit,5MSPSA/DConverter Description TheHI5804isamonolithic,12-bit,Analog-to-DigitalConverterfabricatedinHarris’HBC10BiCMOSprocess.Itisdesignedforhighspeed,highresolutionapplicationswherewidebandwidthandlowpowerconsumptionareessential. Features ?SamplingRate..............	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5804EVAL	文件：64.48 Kbytes Page：11 Pages	12-Bit,5MSPSA/DConverter Description TheHI5804isamonolithic,12-bit,Analog-to-DigitalConverterfabricatedinHarris’HBC10BiCMOSprocess.Itisdesignedforhighspeed,highresolutionapplicationswherewidebandwidthandlowpowerconsumptionareessential. Features ?SamplingRate..............	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5804KCB	文件：64.48 Kbytes Page：11 Pages	12-Bit,5MSPSA/DConverter Description TheHI5804isamonolithic,12-bit,Analog-to-DigitalConverterfabricatedinHarris’HBC10BiCMOSprocess.Itisdesignedforhighspeed,highresolutionapplicationswherewidebandwidthandlowpowerconsumptionareessential. Features ?SamplingRate..............	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM5804	文件：705.98 Kbytes Page：9 Pages	HM5804-SOCofLi-BatteryTransfertoDryBatterySolution	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HP5804	文件：502.89 Kbytes Page：12 Pages	PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR	HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd. 華普微電子深圳市華普微電子股份有限公司	HOPE
IRF5804	文件：99.63 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-40V) Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF5804PBF	文件：201.98 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
LG5804B	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	SpatialDistribution	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
MAX5804	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX5804ATB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX5804AUB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MCH5804	文件：37.7 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features ?CompositetypewithanN-ChannelSilliconMOSFET(MCH3408)andaSchottkyBarrierDiode(SBS007M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speeds	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
NTD5804N	文件：79.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD5804N	文件：299.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD5804N	文件：2.6117 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
NTD5804N	文件：132.99 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,69A,SingleN??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	EMM5804VU	EUDYNA	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633	詢(xún)價(jià)
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