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EPC2010_EPC-CO/高效變流技術(shù)_TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE德力誠(chéng)信科技

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  • 廠家型號(hào):

    EPC2010

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    EPC-CO/高效變流技術(shù)

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    100

  • 產(chǎn)品封裝:

    con

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    20235

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-16 9:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):EPC2010品牌:EFFICIENT POWER CONVERSION

現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index

  • 芯片型號(hào):

    EPC2010C

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    EPC-CO【高效變流技術(shù)】詳情

  • 廠商全稱:

    Efficient Power Conversion Corporation.

  • 中文名稱:

    高效變流技術(shù)公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1166.41 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Enhancement Mode Power Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    EPC2010

  • 功能描述:

    TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    eGaN®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    王女士

  • 手機(jī):

    13305449939

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13305449939

  • 傳真:

    0534-7058298

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)城市商業(yè)中心3204