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ERJ-XGNF9530Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：01005（0402 公制）類別：電阻器片式電阻器 - 表面貼裝描述：RES 953 OHM 1% 1/32W 01005	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents
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F9530N	文件：113.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
H9530	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	8CHANNELLINEARARRAYMULTIANODEPMTASSEMBLY PhotomultiplierTubewithActiveDividerCircuit LinearArrayMultianodePMTAssembly,8-Channel(H9530series)/16-Channel(H10515Bseries)/32-Channel(H7260series) FEATURES ●HighCathodeSensitivityLuminous500μA/lmTyp.(-20Type) ●EffectiveAreaperChannel H9530Seri	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 濱松光子濱松光子學株式會社	HAMAMATSU
IIRF9530N	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IMIC9530CT	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features ?Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter ?Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz ?OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 ?Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach ?OneREFXINclockoutput ?SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導體公司	Cypress
IMIC9530CT	文件：154.45 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features ?Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter ?Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz ?OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 ?Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach ?OneREFXINclockoutput ?SMBusclockcontrolinterfac	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
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IRF9530	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9530	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF9530	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF9530	文件：63.6 Kbytes Page：7 Pages	12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs 12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepowe	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9530	文件：449.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTORS Features: ■P-ChannelVersatility ■CompactPlasticPackage ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EaseofParalleling ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530	文件：1.26984 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-13A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
IRF9530	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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產品屬性

產品編號：
ERJ-XGNF9530Y
制造商：
Panasonic Electronic Components
類別：
電阻器 > 片式電阻器 - 表面貼裝
系列：
ERJ-XGN
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±1%
功率 (W)：
0.03W，1/32W
成分：
厚膜
溫度系數(shù)：
±200ppm/°C
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
封裝/外殼：
01005（0402 公制）
供應商器件封裝：
01005
大小 / 尺寸：
0.016" 長 x 0.008" 寬（0.40mm x 0.20mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.006"（0.15mm）
描述：
RES 953 OHM 1% 1/32W 01005

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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