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FM9610	文件：604.99 Kbytes Page：8 Pages	1AsynchronousmobilepowerIC	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富滿微富滿微電子集團(tuán)股份有限公司	FUMAN
FM9610B	文件：192.13 Kbytes Page：7 Pages	1AsynchronousmobilepowerIC	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富滿微富滿微電子集團(tuán)股份有限公司	FUMAN
HF9610	文件：59.83 Kbytes Page：3 Pages	HERMETICALLYSEALEDLATCHINGRELAY	HONGFAHongfa Technology 宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司	HONGFA
IRF9610	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF9610	文件：271.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610	文件：161.49 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Dynamic	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610	文件：290.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9610PBF	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610PBF	文件：1.33245 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-200V,RDS(on)=3.0廓,ID=-1.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610PBF	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610S	文件：206.04 Kbytes Page：10 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610S	文件：163.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Surface	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610S	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610SPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610STRLPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9610STRRPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多EX9610PA供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 13:14:00

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