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F306R	文件：202.97 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS 3.2x2.5mm 1.0 V SMD Oscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDB306	文件：256.829 Kbytes Page：1 Pages	3AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
FDD306P	文件：505.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VSpecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement. Features ■–6.7A,–12V.RDS(ON)=28m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=41m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=90m?@VGS=–1.8V ■Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD306P	文件：679.42 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDN306	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
FDN306P	文件：144.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=50m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=80m?@VGS=–	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDN306P	文件：1.00134 Mbytes Page：3 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN306P	文件：468.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
FDN306P	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
FDN306P-NL	文件：1.039829 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FFM306	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A800VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FFM306	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
FFM306B	文件：177.83 Kbytes Page：9 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市益百分電子有限公司	F30707-0609	xilinx	22+	BGA-104D	6800		詢價
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更多F306R供應商更新時間2024-11-15 9:30:00

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