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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FDD306P	文件：505.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VSpecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement. Features ■–6.7A,–12V.RDS(ON)=28m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=41m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=90m?@VGS=–1.8V ■Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD306P	文件：679.42 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDN306	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P	文件：144.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=50m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=80m?@VGS=–	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN306P	文件：1.00134 Mbytes Page：3 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN306P	文件：468.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDN306P	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P-NL	文件：1.039829 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FFM306	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A800VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FFM306	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
FFM306B	文件：177.83 Kbytes Page：9 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306-BS	文件：98.56 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306CG	文件：2.94628 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FDD306P
功能描述：
MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FDD306P	onsemi	24+	TO-252AA	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	FDD306P	FAIRCHILD/仙童	24+	SMD	203	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FDD306P	FAIRCHILD/仙童	22+	SMD	8550	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳市宇爍芯半導(dǎo)體科技有限公司	FDD306P	Fairchild(飛兆/仙童)	2023		10000	全新、原裝	詢價(jià)
深圳市朱博士電子科技有限公司	FDD306P	ONSEMI	2405+	原廠封裝	5000	原裝正品,渠道可追溯	詢價(jià)
深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司	FDD306P	ONSEMI	23+	NA	5000	公司現(xiàn)貨原裝	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FDD306P	ON(安森美)	2023+	TO-252	4550	全新原裝正品	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDD306P	onsemi(安森美)	23+	TO-252	9555	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市芯球通科技有限公司	FDD306P	ON(安森美)	23+	TO-252	13755	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	FDD306P	ON/安森美	SMD	23+	6000	專業(yè)配單原裝正品假一罰十	詢價(jià)

更多FDD306P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 20:18:00

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