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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
參數(shù)屬性 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111 |
功能描述 | EasyPACK??module with CoolSiC??Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM |
文件大小 |
1.41041 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
22 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-21 23:00:00 |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1規(guī)格書詳情
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
Features
? Electrical features
- VDSS = 1200 V
- IDN = 100 A / IDRM = 200 A
- High current density
- Low switching losses
? Mechanical features
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Integrated NTC temperature sensor
- PressFIT contact technology
- Pre-applied thermal interface material
Potential applications
? Solar applications
? Three-level applications
? DC charger for EV
Product validation
? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- 描述:
LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HYPERSTONE |
23+ |
NA/ |
3404 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
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24+ |
QFP |
35200 |
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Infineon Technologies |
23+ |
Module |
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原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
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