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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
參數(shù)屬性 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111 |
功能描述 | EasyPACK??module with CoolSiC??Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM |
文件大小 |
1.41041 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
22 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-24 19:00:00 |
人工找貨 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1規(guī)格書(shū)詳情
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
Features
? Electrical features
- VDSS = 1200 V
- IDN = 100 A / IDRM = 200 A
- High current density
- Low switching losses
? Mechanical features
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Integrated NTC temperature sensor
- PressFIT contact technology
- Pre-applied thermal interface material
Potential applications
? Solar applications
? Three-level applications
? DC charger for EV
Product validation
? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤(pán)
- 描述:
LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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