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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
廠商型號(hào)

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

參數(shù)屬性

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111

功能描述

EasyPACK??module with CoolSiC??Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111

文件大小

1.41041 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 19:00:00

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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1規(guī)格書(shū)詳情

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

Features

? Electrical features

- VDSS = 1200 V

- IDN = 100 A / IDRM = 200 A

- High current density

- Low switching losses

? Mechanical features

- Rugged mounting due to integrated mounting clamps

- Integrated NTC temperature sensor

- PressFIT contact technology

- Pre-applied thermal interface material

Potential applications

? Solar applications

? Three-level applications

? DC charger for EV

Product validation

? Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 描述:

    LOW POWER EASY AG-EASY2B-3111

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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